中国资产网讯近日，在深圳举办的内行说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业岑岭论坛上，数百家企业代表皆聚一堂，共同洽商和见证第三代半导体产业的茂密发展。今日的授奖仪式上，英诺赛科凭借在氮化镓功率半导体规模的超卓孝敬和立异实力开云体育，荣获“第三代半导体年度标杆领军企业”等三项荣誉，这亦然英诺赛科流通第三年取得该奖项的招供。

英诺赛科斩获三项盛誉

　　“内行极光奖”行动行业内极具影响力的奖项，由内行说创办并每年举办一届，旨在奖赏在碳化硅和氮化镓规模握续进行时期立异、激动产业卓著的企业。本次授奖仪式十分开荒了“十强企业榜单”“年度企业”和“年度优秀产物”三大奖项，以设立行业标杆，晋升企业品牌暴露度和影响力，为行业发展注入更多立异力和推能源。

　　在这次授奖仪式上，英诺赛科凭借先进的氮化镓时期和超卓的市集开拓才调，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。这两项荣誉的取得，不仅是对英诺赛科在氮化镓规模立异遵守着实定，更是对其在激动第三代半导体产业发展方面所作念孝敬的招供。

　　除了企业荣誉外，英诺赛科的40V车规级产物INN040FQ045A-Q也荣获了“年度影响力产物”奖。该产物是英诺赛科基于40V车规平台开发的一款超小封装的氮化镓车规芯片，已通过AEC-Q101车规级认证。该芯片具备小体积、低损耗、高频高功率的优点，是继车载激光雷达之后第二款打入车规前装市集的氮化镓芯片，为新能源汽车的智能化、方便化提供了有劲复旧。

　　英诺赛科示意，将来将继续秉握立异理念，不停增强产物竞争力开云体育，与互助伙伴联袂共进，为第三代半导体产业的发展孝敬更多力量。